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HM7002B-VB 产品详细

产品简介:

HM7002B-VB MOSFET 产品简介

HM7002B-VB 是一款低功耗、单通道 N 型 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,适合空间受限的应用。该器件具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),使其能够在较高电压环境中工作。其栅极阈值电压 (Vth) 为 1.7V,确保了在低电压条件下的有效开启。通过 Trench 技术,该器件在导通时的 RDS(ON) 分别为 3100mΩ(VGS=4.5V)和 2800mΩ(VGS=10V),能够承载 0.3A 的连续漏极电流 (ID),适用于低功率的开关和信号放大电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
HM7002B-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 型通道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench 技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

HM7002B-VB MOSFET 适用于多种低功率应用,特别是在空间有限且需要较高电压操作的场景中。以下是一些具体的应用领域和模块示例:

1. **信号开关电路**: 由于其较高的漏源电压和低导通电阻,HM7002B-VB 常用于低电流信号的切换,例如通信设备中的开关电路。

2. **便携式电子产品**: 由于其小巧的封装和低功耗特性,该 MOSFET 非常适合用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备的电源管理模块中。

3. **小型 DC-DC 转换器**: 在需要小电流转换的低功率 DC-DC 转换器中,HM7002B-VB 可以作为开关元件,以提供稳定的输出电压。

4. **传感器接口电路**: 在低功耗传感器的驱动和数据读取电路中,该器件能够有效地控制传感器的电源开关。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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