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HM3018KR-VB 产品详细

产品简介:

HM3018KR-VB MOSFET 产品简介

HM3018KR-VB 是一款高效的单 N 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,专为小型电子设备和低功耗应用设计。其最大漏源电压(VDS)为 60V,栅源电压(VGS)范围为 ±20V。该 MOSFET 的开启阈值电压(Vth)为 1.7V,导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 3100mΩ,在 VGS=10V 时为 2800mΩ,最大漏极电流(ID)为 0.3A。HM3018KR-VB 采用 Trench 技术,适合用于对功耗和空间要求较高的应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
HM3018KR-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装形式**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 3100mΩ @ VGS=4.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench
- **开关特性**: 适合低功耗和小型设备的开关应用
- **封装**: SOT23-3,适合空间受限的应用

领域和模块应用:

HM3018KR-VB MOSFET 适用领域和模块

HM3018KR-VB MOSFET 的设计特性使其在多个领域和模块中具有广泛的应用:

1. **便携式电子设备**:由于其小巧的 SOT23-3 封装和低功耗特性,HM3018KR-VB 适合用于便携式电子设备,如智能手机、便携式音乐播放器等。这种 MOSFET 能够有效地控制低电流负载,同时节省空间。

2. **消费电子产品**:在消费电子产品中,如家电、玩具等,HM3018KR-VB 可用于实现高效的开关控制。其低导通电阻有助于提高设备的能效,并降低功耗。

3. **电池管理系统**:在电池管理系统中,该 MOSFET 可以用作开关控制电池的充放电过程。由于其低功耗和高效开关特性,能够有效地管理电池电流,提高系统的总体性能。

4. **低功耗开关电路**:HM3018KR-VB 非常适合用于低功耗开关电路,如低功耗开关电源、LED 驱动电路等。其低导通电阻和小型封装使其在这些应用中表现出色,能够有效降低功耗和提升系统稳定性。

5. **小型信号开关**:该 MOSFET 还可用于小型信号开关应用,如信号开关电路中的开关控制。其紧凑的封装和高效的开关特性,使其在这些应用中表现优异。

HM3018KR-VB MOSFET 结合了小型封装和高效开关性能,是多种小型电子设备和低功耗应用的理想选择,特别适用于空间受限且对功耗要求严格的场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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