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HM3018JR-VB 产品详细

产品简介:

一、HM3018JR-VB 产品简介

HM3018JR-VB 是一款高效能 N 沟道 MOSFET,封装形式为 SOT23-3。该 MOSFET 设计用于低电压和低电流应用,其最大漏源电压(VDS)为 60V,支持的栅极电压(VGS)范围为 ±20V。其阈值电压(Vth)为 1.7V,导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 3100mΩ,在 VGS=10V 时为 2800mΩ,最大漏极电流(ID)为 0.3A。HM3018JR-VB 采用 Trench 技术,能够提供高效的开关性能,并适合于小型电子设备和电路中的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、HM3018JR-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术类型**: Trench 技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **封装形式**: SOT23-3

领域和模块应用:

三、应用领域和模块举例

HM3018JR-VB 的特性使其适用于以下领域和模块:

- **移动电子设备**: 在智能手机、平板电脑及其他便携设备的电源管理电路中,HM3018JR-VB 可以用于开关控制和功率调节,由于其低漏电流和高开关效率,非常适合用于小型、高密度电路设计。

- **低功耗应用**: 在要求低功耗和紧凑封装的应用场景中,例如小型电子设备、传感器及低电流开关电路,HM3018JR-VB 的小封装和适中电流能力使其成为理想选择。

- **电源管理模块**: 在小型电源管理模块中,如 DC-DC 转换器和稳压器,HM3018JR-VB 可以用于高效开关,确保系统的高效性和稳定性,适合于低电压、高效率的设计要求。

- **便携式电池供电设备**: 对于需要有效电源开关和电流控制的便携式电池供电设备,HM3018JR-VB 能够提供稳定的开关性能,延长电池寿命并提高设备的整体性能。

- **消费电子产品**: 在各种消费电子产品中,如家庭自动化设备、智能家居产品等,HM3018JR-VB 的小型封装和低导通电阻使其非常适合用于内部电源开关和控制应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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