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HM0565MR-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

HM0565MR-VB 是一款高耐压单通道N沟道MOSFET,采用平面(Plannar)技术制造,封装形式为SOT-23-3。这款MOSFET具有650V的漏源电压(V_DS),使其适用于高电压应用场景。尽管其导通电阻(R_DS(ON))较高,为8400mΩ @ V_GS = 10V,但其高耐压特性和紧凑的SOT-23-3封装使其适合用于空间有限的高电压电路中。HM0565MR-VB广泛应用于各种高压电源管理、电力保护和低功耗开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 650V 30(±V) 3.5V 1A 8400mΩ
二、详细参数说明

- **型号**:HM0565MR-VB
- **封装形式**:SOT-23-3
- **器件类型**:单通道N沟道MOSFET
- **漏源电压 (V_DS)**:650V
- **栅源电压 (V_GS)**:±30V
- **阈值电压 (V_th)**:3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:8400mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流 (I_D)**:1A
- **工艺技术**:平面(Plannar)技术
- **封装尺寸**:SOT-23-3,适合紧凑空间和低功耗应用
- **工作温度范围**:通常在-55°C至+175°C之间(具体需参考数据手册)
- **封装引脚配置**:SOT-23-3标准引脚布局,适合紧凑电路板设计
- **开关特性**:适合高电压开关应用,提供稳定的性能和可靠性

领域和模块应用:

三、应用领域及模块举例

HM0565MR-VB 由于其高耐压和紧凑封装,适用于以下领域和模块:

1. **高压电源管理**:在高压电源转换器和电源适配器中作为开关元件使用,处理高达650V的电压,确保电能的有效管理和转换。

2. **电力保护电路**:用于高电压保护电路中,承受瞬态高电压并保护其他电路元件免受过电压损害。

3. **电力电子设备**:适用于电力电子设备中的高电压开关控制,如高压变换器和逆变器,提供稳定的开关性能。

4. **LED驱动电源**:在LED驱动电源中,作为高压开关元件使用,保证LED系统的稳定运行和高效能量转换。

5. **医疗电子设备**:用于医疗电子设备中的高电压开关应用,如电击治疗设备和电气化医疗器械,确保设备安全和可靠运行。

6. **通讯设备**:在通信基站和电信设备中,用于高电压电源管理和保护,支持稳定的信号传输和设备可靠性。

7. **汽车电子**:在汽车电力管理系统中,处理高电压电源,确保电动车辆中的电气系统的稳定性和安全性。

HM0565MR-VB凭借其高电压承受能力和小巧的SOT-23-3封装,成为各种高电压应用中关键的开关元件,适用于需要在有限空间内处理高电压的电子系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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