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H6327-VB 产品详细

产品简介:

H6327-VB MOSFET 产品简介

**H6327-VB** 是一款高效能的 P-Channel MOSFET,封装为 SOT23-3。此型号采用 Trench 技术,旨在提供出色的导通特性和低导通阻抗,非常适合需要快速开关和低功耗的应用。H6327-VB 具有-20V 的最大漏源电压,阈值电压为-0.8V,导通阻抗在不同门源电压下表现出低至 60mΩ 的极佳表现,并支持高达-4A 的漏极电流。其小型封装和高效性能使其适用于空间受限和对能效要求较高的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -20V 12(±V) -0.8V -4A 80mΩ 60mΩ
详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单个 P-Channel
- **最大漏源电压 (VDS)**:-20V
- **最大门源电压 (VGS)**:±12V
- **阈值电压 (Vth)**:-0.8V
- **导通阻抗 (RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS = 2.5V
- 65mΩ @ VGS = 4.5V
- 60mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:-4A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **便携式设备电源管理**:
H6327-VB 的小型封装和低导通阻抗使其非常适合用于便携式设备的电源管理模块。它能够高效地控制电源路径,从而延长电池寿命和减少热量生成,适用于智能手机、平板电脑等移动设备的电源管理和电池保护电路中。

2. **负载开关控制**:
该 MOSFET 在低电压和高电流条件下表现出色,适用于各种负载开关控制应用。例如,在计算机和消费电子设备中用于控制外设的电源开关,确保在低功耗模式下有效地切断或开启电源。

3. **电源调节和转换**:
H6327-VB 可用于电源调节和 DC-DC 转换器模块中,尤其是需要高效转换的场景。它的低 RDS(ON) 有助于减少转换过程中的功耗,提升整体系统的能效,适用于各种低压电源调节器和转换器。

4. **过压保护电路**:
由于其稳健的电气性能和高耐压特性,H6327-VB 可以集成到过压保护电路中,确保电子设备在电压波动或瞬态事件中得到有效保护,应用于通信设备、电源适配器等对电压稳定性要求较高的领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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