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H2N7002K-VB 产品详细

产品简介:

H2N7002K-VB MOSFET 产品简介

H2N7002K-VB 是一款单N通道 MOSFET,采用紧凑的 SOT23-3 封装。这款 MOSFET 设计用于低电压应用,具有高开关效率和稳定的性能。其 Trench 技术设计确保了低导通电阻和优良的开关特性。虽然其最大漏极电流为 0.3A,但它在较高的栅极-源极电压 (V_GS) 下表现出较低的导通电阻,使其非常适合需要高效开关和低功耗的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **型号**: H2N7002K-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N通道 (Single-N-Channel)
- **漏极-源极电压 (V_DS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 3100mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2800mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流 (I_D)**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

H2N7002K-VB MOSFET 的设计特点使其适用于多种低电压和小型开关应用:

1. **便携式电子设备**: 由于其紧凑的 SOT23-3 封装和低功耗特性,H2N7002K-VB 适合用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。这款 MOSFET 可以有效地控制电源管理和负载开关,优化设备的能效和续航能力。

2. **低功耗开关**: H2N7002K-VB 的低导通电阻使其适用于低功耗开关应用,如小型电源开关和负载开关。在这些应用中,MOSFET 能够提供高效的开关操作,同时减少功耗和热量产生。

3. **电池供电系统**: 在电池供电的系统中,如便携式电源模块和电池管理系统,H2N7002K-VB 可以用作开关元件,帮助实现高效的电池管理和电源控制。其高效的开关特性有助于延长电池寿命和提高系统的可靠性。

4. **小型电源管理**: 在小型电源管理模块中,H2N7002K-VB 可以用于实现精确的电流控制和开关功能。这种 MOSFET 适用于低电流应用,并能在紧凑的空间内提供稳定的性能。

这些特性使 H2N7002K-VB 成为小型电子设备和低功耗应用中理想的开关选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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