产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-P |
-20V |
12（±V） |
-0.8V |
-4A |
80mΩ |
|
60mΩ |
|
详细参数说明
- **封装**: SOT23-3，小型封装，适合紧凑设计。
- **配置**: 单P沟道MOSFET，适合用于低电压开关和控制应用。
- **VDS（漏源电压）**: -20V，漏极与源极之间的最大电压。
- **VGS（栅源电压）**: ±12V，栅极与源极之间的最大电压差。
- **Vth（栅极阈值电压）**: -0.8V，MOSFET 开始导通所需的最小栅极电压。
- **RDS(ON)（导通电阻）**:
- 80mΩ @ VGS = 2.5V
- 65mΩ @ VGS = 4.5V
- 60mΩ @ VGS = 10V
- **ID（漏极电流）**: -4A，最大持续漏极电流。
- **技术**: Trench 技术，提供低导通电阻和高效率。
领域和模块应用：
应用领域示例
FDV304P-VB 的紧凑封装和低导通电阻特性，使其在多个领域和模块中具有广泛的应用：
1. **便携式设备**: 在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，FDV304P-VB 的小型封装和低电压操作特性，使其非常适合用于电源管理和电池保护电路中。它能够在有限的空间内提供高效的电流开关和控制。
2. **电源管理模块**: 这款 MOSFET 可以用于低电压电源管理模块中，如 DC-DC 转换器和电压调节器。其低导通电阻能够降低功耗，提高电源转换效率，非常适合用于对能效要求较高的应用中。
3. **信号切换**: 在信号切换和路由应用中，FDV304P-VB 的低导通电阻特性允许其在较小电压下高效切换信号，适用于数据通信设备和接口电路的控制与开关。
4. **消费电子产品**: 在各种消费电子产品中，如数字相机、MP3 播放器和其他家用电子设备，FDV304P-VB 的紧凑设计和高效性能使其能够有效管理低电压功率，并提供可靠的开关操作。
5. **汽车电子**: 尽管该产品主要面向低功率应用，但它也可以在某些汽车电子系统中用于控制低功率辅助电路，如传感器和微控制器的供电，帮助优化车载电子系统的整体能效。
FDV304P-VB 是一款集成了低导通电阻、小型封装和低电压操作能力的 MOSFET，适合多种低功率开关和电源管理应用。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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