推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

FDV301N-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

FDV301N-VB 是一款N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,具有紧凑的尺寸,非常适合空间受限的应用。该器件采用Trench技术,能够在小电压和高电流的应用场合中表现出色。FDV301N-VB 的最大漏源电压(VDS)为20V,能够处理较低电压的开关任务,而其最大漏极电流(ID)为6A,适用于中等电流需求。其阈值电压(Vth)范围为0.5V至1.5V,保证了在低栅源电压条件下的可靠开关操作。低导通电阻使其在高效电流控制方面具有优势。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
详细参数说明

- **型号**: FDV301N-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单个N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 2.5V
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**: 6A
- **技术**: Trench技术

领域和模块应用:

应用领域和模块

FDV301N-VB 的设计特性使其非常适合以下领域和模块的应用:

1. **便携式电子设备**: 由于其小巧的SOT23-3封装和低导通电阻,FDV301N-VB 非常适合便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中,MOSFET可以用于电源管理、电池保护和电源开关电路,提供可靠的高效电流控制。

2. **直流-直流转换器**: 在低压DC-DC转换器中,FDV301N-VB 可用作开关器件,其低RDS(ON)确保了低功率损耗和高转换效率。该MOSFET特别适用于需要低电压转换的应用,如便携式电源和嵌入式系统。

3. **负载开关**: 在需要对负载进行有效控制的应用中,FDV301N-VB 能够用作高效的负载开关。其低阈值电压和高电流处理能力使其能够在小型电路板上实现高效的开关功能,例如在消费类电子产品和传感器模块中。

4. **电池管理系统**: FDV301N-VB 也非常适合用于电池管理系统,特别是在锂电池保护电路中。它可以用作电流控制开关,防止电池过充或过放,同时在电池充电和放电过程中提供可靠的电流路径。

这些应用领域表明,FDV301N-VB 是一款非常适合在低电压和中等电流条件下工作的MOSFET,尤其适用于需要高效、紧凑设计的电子设备和系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询