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FDN537N-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
FDN537N-VB 是一款高效能的N沟道MOSFET,采用紧凑的SOT23-3封装。这款MOSFET设计基于先进的沟槽 (Trench) 技术,专为中等电压和电流应用而设计。其漏源极电压为30V,栅源极电压为±20V,阈值电压为1.7V。低导通电阻和较高的漏极电流使其在各种开关和放大应用中表现出色。由于其小巧的封装和良好的热性能,FDN537N-VB 是空间受限应用中的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
详细参数说明
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:30V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:6.5A
- **技术**:沟槽 (Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块
FDN537N-VB 的紧凑封装和高性能特性使其在多个领域和模块中表现优异:

1. **便携式设备**:由于其小巧的SOT23-3封装,FDN537N-VB 非常适合用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和便携式电源设备。其低导通电阻可以有效减少功耗,提高设备的整体效率。

2. **消费电子**:在消费电子产品中的电源管理和开关控制应用中,该MOSFET 能够处理适中的电流和电压,适合用于LED驱动器、音响设备的电源开关等应用。

3. **汽车电子**:FDN537N-VB 也可以用于汽车电子系统中的低功率开关应用,例如车载电源模块和传感器控制电路。其高可靠性和良好的热性能确保了在汽车环境中的稳定工作。

4. **工业自动化**:在工业自动化设备中,FDN537N-VB 可以用作低功耗开关控制器,处理低至中等电流负载,如小型电机驱动、继电器驱动等。

FDN537N-VB 的综合性能和小巧封装使其在各种需要高效率和紧凑设计的应用中表现出色,适用于广泛的电子设备和模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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