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FDN371N-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**FDN371N-VB** 是一款高性能N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为小型化和高效率的电子应用设计。采用Trench技术制造,该MOSFET在低导通阻抗和高电流处理能力下表现出色,适合各种高开关频率和高电流的场合。其紧凑的封装和优异的电气性能使其成为需要高效能和节省空间的电子产品中的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
详细参数说明

- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单一N沟道
- **漏源电压 (V_DS)**: 30V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通阻抗 (R_DS(on))**:
- 33mΩ (V_GS = 4.5V)
- 30mΩ (V_GS = 10V)
- **最大漏极电流 (I_D)**: 6.5A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域及模块举例

1. **便携式设备**:
由于FDN371N-VB 的紧凑封装和高电流能力,这款MOSFET非常适合在便携式设备中使用,如智能手机、平板电脑和其他小型电子产品。其低导通阻抗有助于提高能效,并减少系统中的功耗。

2. **低功耗开关**:
在低功耗开关应用中,FDN371N-VB 的高开关速度和低R_DS(on) 特性能够提供高效的开关性能,适用于如电池管理系统和电源开关模块中,帮助优化功率转换效率。

3. **电池供电的设备**:
这款MOSFET的低导通阻抗和高电流处理能力使其适合用于电池供电的设备中,比如便携式电源和电动工具。其高效的电流控制有助于提高设备的整体性能和电池使用寿命。

4. **小型电动驱动**:
在小型电动驱动系统中,FDN371N-VB 的高电流承载能力和低R_DS(on) 使其能够有效驱动电机或其他负载,提供可靠的性能和稳定的输出。

FDN371N-VB 以其优良的电气性能和紧凑的封装,满足了对高效能和小型化要求的电子应用需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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