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FDN306P-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介
FDN306P-VB 是一款高效的单P沟道功率MOSFET,采用紧凑的SOT23-3封装。该MOSFET专为-20V的负电压应用设计,具有优异的导通电阻和开关性能。其使用了先进的Trench技术,能够在高电流条件下提供低导通电阻,确保高效能和低功耗操作。FDN306P-VB 适用于各种低电压、高效率的电子应用,尤其是在需要小型化和高性能的场合表现卓越。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -20V 12(±V) -0.8V -4A 80mΩ 60mΩ
二、详细参数说明
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS=2.5V
- 65mΩ @ VGS=4.5V
- 60mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**: -4A
- **技术**: Trench
- **热性能**: 适用于高效能和紧凑设计的应用

领域和模块应用:

三、应用领域和模块
FDN306P-VB MOSFET 由于其低导通电阻和紧凑封装,适合用于以下领域和模块:
1. **低电压电源开关**: 在低电压电源管理系统中,例如便携式电子设备和消费类电子产品中,FDN306P-VB 可以作为高效的电源开关,提供可靠的电流控制。
2. **负载开关**: 适用于各种低电压负载开关应用,如电池供电设备和电源管理模块,通过其低导通电阻实现高效的电流切换。
3. **信号开关**: 在需要切换低电压信号的应用中,如音频设备、通信设备和传感器接口,FDN306P-VB 能够提供稳定的开关性能。
4. **功率管理模块**: 在各种功率管理模块中,FDN306P-VB 可以有效地管理负载电流,并减少能量损耗,提升系统整体效率。

FDN306P-VB 以其紧凑封装和优异性能,适合用于对空间和功耗有严格要求的应用场景,尤其是在低电压电路中表现尤为出色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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