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FDN302P-VB 产品详细

产品简介:

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FDN302P-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单通道 P 型 MOSFET,专为低电压应用设计。其漏源电压 (VDS) 为 -20V,栅源电压 (VGS) 额定值为 ±12V。该器件具有低栅极阈值电压 (Vth) 为 -0.8V,能够在低栅驱动电压下保持良好的导通性能。导通电阻 (RDS(ON)) 分别为 80mΩ、65mΩ 和 60mΩ,取决于 VGS 的不同值 (2.5V、4.5V 和 10V)。其最大漏极电流 (ID) 为 -4A,采用了先进的 Trench 技术,以实现高效、低损耗的性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -20V 12(±V) -0.8V -4A 80mΩ 60mΩ
参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单通道 P 型
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS=2.5V
- 65mΩ @ VGS=4.5V
- 60mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -4A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **低电压电源开关**: FDN302P-VB 可广泛用于低电压电源开关和负载开关应用。其低导通电阻在低栅电压下提供高效的电流控制,适用于电池供电的便携式设备和低电压电子产品中的开关功能。

2. **电池保护**: 在电池管理系统中,该 MOSFET 可用作过流保护开关,帮助防止过流情况对电池造成损害。其低导通电阻和高电流能力确保保护电路在过载情况下可靠地工作。

3. **小型电机驱动**: 由于其较小的封装和高电流能力,FDN302P-VB 非常适合在小型电机驱动电路中使用。例如,玩具电机和小型家电中的电机控制可以使用该 MOSFET 来实现高效驱动和开关。

4. **消费类电子产品**: 在消费电子产品如手机、平板电脑和智能手表中,该 MOSFET 可用于电源管理和信号开关。其小巧的封装和低导通电阻使其在空间有限的应用场景中表现优异。

FDN302P-VB 的高效性和灵活性使其成为多种低电压应用中的理想选择,能够满足现代电子设计中对小型化、高效能组件的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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