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ELM2N7002K-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

ELM2N7002K-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为高效能、低功耗应用而设计。该MOSFET能够承受高达60V的漏源电压,并具有优异的开关性能。其低导通电阻和宽阈值电压范围使其在各种中低压电路中都能表现出色,适合于需要小尺寸、高效率和低功耗的电子设备。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术类型**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块举例

1. **低功耗开关电路**:ELM2N7002K-VB非常适合用于低功耗的开关电路,如便携式电子设备和移动电源。由于其低导通电阻和高阈值电压,该MOSFET可以在低电压下高效切换,帮助延长设备的电池寿命。

2. **小型电子设备**:由于其SOT23-3封装的紧凑尺寸,ELM2N7002K-VB特别适合在空间受限的应用中使用,如智能手表、传感器模块和便携式消费电子产品。它能够在有限的空间内提供稳定的性能和高效的电流控制。

3. **信号处理和控制模块**:在信号处理和控制模块中,ELM2N7002K-VB可以作为开关元件,用于信号放大和转换。其低导通电阻和快速开关特性使其能够在高速信号处理中提供可靠的性能。

4. **保护电路**:该MOSFET也可用于电源保护电路,例如过流保护和过压保护。其耐压能力和低导通电阻确保了在保护电路中快速响应,避免电路损坏。

ELM2N7002K-VB凭借其高性能和多功能性,在各种电子应用中都能提供稳定和高效的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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