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DTS2N7002-VB 产品详细

产品简介:

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**DTS2N7002-VB** 是一款高性能、单N沟道MOSFET,采用紧凑的 SOT23-3 封装。这款 MOSFET 具有 Trench 技术,使其在低电压开关应用中表现出色。其漏极-源极电压(V_DS)为60V,适合中等电压的开关应用。由于其低阈值电压(V_th)和合理的导通电阻(R_DS(ON)),DTS2N7002-VB 特别适用于低功耗和小型电路中,提供高效的开关性能和稳定的操作。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **型号**: DTS2N7002-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极最大电压 (V_DS)**: 60V
- **栅极-源极最大电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 3100mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2800mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流 (I_D)**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块

**1. 低功耗开关应用**
DTS2N7002-VB 的低导通电阻和小封装设计使其适合用于低功耗开关应用。它可用于小型电子设备中的开关电路,如便携式电子产品的开关管理,以及各种传感器和低功耗控制电路中,提供高效且可靠的开关操作。

**2. 数字电路**
在数字电路中,DTS2N7002-VB 的低阈值电压和良好的开关特性使其适合用于逻辑电平转换和信号调节。它广泛应用于微控制器和数字信号处理器的外围电路中,作为开关或信号驱动器。

**3. 驱动电路**
由于其良好的开关性能和适中的漏极电流能力,该 MOSFET 适用于驱动小型负载,如 LED 驱动电路和低功率电机驱动。它能够在这些应用中提供稳定的性能,同时保持较低的功耗。

**4. 保护电路**
DTS2N7002-VB 可用于各种保护电路中,如过电流保护和过压保护电路。其高漏极-源极电压和稳定的导通电阻使其能够有效地处理过流或过压情况,保护其他关键电路元件免受损坏。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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