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DMN65D8L-VB 产品详细

产品简介:

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**DMN65D8L-VB** 是一款单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装和Trench技术设计。这款MOSFET能够处理最大60V的漏源电压(VDS),并在0.3A的漏电流(ID)下提供稳定的性能。其中等导通电阻和低栅极阈值电压使其适合于低功耗应用。DMN65D8L-VB设计紧凑,适合用于对尺寸和功耗要求严格的电路中,提供可靠的开关和控制功能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **型号**: DMN65D8L-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench技术

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

**1. 低功耗便携式设备**: DMN65D8L-VB适用于需要小型化和低功耗的便携式电子设备,如智能手表、无线耳机和小型传感器。这些设备对MOSFET的尺寸和功耗有严格要求,该MOSFET能够提供有效的电源开关和控制功能。

**2. 低电流开关电路**: 在低电流开关应用中,如LED驱动和小型电源开关,DMN65D8L-VB能够提供稳定的开关控制。其中等导通电阻适合于这些低功率应用,确保系统的高效运行。

**3. 小型电源管理**: 这款MOSFET可用于电源管理模块,如DC-DC转换器和电源开关模块。在这些应用中,DMN65D8L-VB能够有效管理电源转换和控制,适应小型化和高效的电源管理需求。

**4. 信号调节和保护电路**: DMN65D8L-VB也适合用于信号调节和保护电路,如模拟信号开关和过流保护电路。其低栅极阈值电压和稳定的导通性能提供了可靠的信号处理和保护功能。

DMN65D8L-VB MOSFET以其小型封装和稳定性能,广泛应用于低功耗电子设备、电源管理和信号调节领域,为这些应用提供了可靠的开关和控制解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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