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DMN65D8L-7-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**DMN65D8L-7-VB** 是一款采用 SOT23-3 封装的 N-Channel MOSFET,适合用于中等电压的开关和控制应用。它具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 0.3A 的最大连续漏电流 (ID),能够处理低电流场合的电压开关操作。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有较高的导通电阻,使其在低电流应用中提供稳定可靠的性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单极 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ(在 VGS=4.5V 时)
- 2800mΩ(在 VGS=10V 时)
- **最大连续漏电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块

**DMN65D8L-7-VB** MOSFET 适用于以下领域和模块:

1. **低功耗开关应用**:
- 由于其适中的导通电阻和电流能力,DMN65D8L-7-VB 适合用于低功耗开关应用,如移动设备中的电源开关。这种 MOSFET 可以帮助控制电源路径,优化功耗并延长设备电池寿命。

2. **小型电路和消费电子**:
- 在小型电子产品和消费电子设备中,如智能家居设备、传感器模块等,DMN65D8L-7-VB 可以作为低电流开关元件。它的小巧 SOT23-3 封装使其适用于空间有限的应用中,提供可靠的开关性能。

3. **电池供电设备**:
- 该 MOSFET 也适合用于电池供电的设备中,如手持式工具和便携式电子产品。它能够在电池供电下稳定工作,帮助实现有效的电流控制和电源管理。

4. **轻负载电源管理**:
- DMN65D8L-7-VB 可以应用于轻负载电源管理系统中,如电池充电器和小型电源模块。其导通电阻虽然相对较高,但在低电流应用中仍能提供有效的开关控制。

综上所述,**DMN65D8L-7-VB** MOSFET 由于其适中的电流能力和较高的导通电阻,适合用于低功耗开关、小型电子产品、电池供电设备以及轻负载电源管理等领域,能够提供稳定的性能和可靠的电流控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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