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DMN5L06K-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**DMN5L06K-VB** 是一款封装为 SOT23-3 的单 N 型 MOSFET,采用 Trench 技术,设计用于中等电压和小电流的应用。该 MOSFET 具备 60V 的最大漏源电压 (V_DS) 和 0.3A 的最大连续漏电流 (I_D)。其阈值电压 (V_th) 为 1.7V,确保在较低的栅源电压下也能可靠开关。导通电阻 (R_DS(on)) 在 V_GS 为 4.5V 和 10V 时分别为 3100mΩ 和 2800mΩ,使其适用于低功耗和高密度的电路设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **型号**: DMN5L06K-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 型 MOSFET
- **最大漏源电压 (V_DS)**: 60V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 3100mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2800mΩ @ V_GS = 10V
- **最大连续漏电流 (I_D)**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **小型电子设备 (Small Electronic Devices)**:
DMN5L06K-VB 适用于小型电子设备中的开关和控制电路。由于其较小的封装和适中的电流处理能力,该 MOSFET 能够为体积受限的设备提供有效的电源管理解决方案。例如,它可以用于手持设备、无线传输模块和其他便携式电子产品中的电源开关和调节器。

2. **低功耗应用 (Low Power Applications)**:
在需要低功耗开关的应用中,如简单的开关电路和低功耗控制模块,DMN5L06K-VB 提供了合适的解决方案。它的高导通电阻和适中的电流处理能力使其适合用于对功耗和尺寸有严格要求的电路中。

3. **汽车电子 (Automotive Electronics)**:
该 MOSFET 还可用于汽车电子系统中的小电流开关应用,如传感器接口和低功耗电源管理。其较高的漏源电压能力使其适用于汽车环境中的高电压保护需求。

4. **工业控制 (Industrial Control)**:
在工业控制系统中,DMN5L06K-VB 可用于较低电压和电流的控制应用。例如,它可以用于低功耗的信号切换和电源管理模块,帮助提高系统的可靠性和效率。

5. **LED 驱动电路 (LED Driver Circuits)**:
该 MOSFET 也适合用于 LED 驱动电路中。由于其良好的电气特性和适中的电流能力,它能够有效地控制 LED 的亮度,同时保持较低的功耗和热量生成。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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