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DMN5L06KQ-7-VB 产品详细

产品简介:

DMN5L06KQ-7-VB 产品简介

DMN5L06KQ-7-VB 是一款高效的 N 沟道 MOSFET,封装为 SOT23-3。它采用了 Trench 技术,适用于低电压和小型封装的应用场合。该 MOSFET 具备最大 60V 的漏极源极电压(VDS)和 ±20V 的栅源极电压(VGS),并且以其较高的导通电阻和较小的漏极电流处理能力,特别适用于低功率和高密度设计的电路中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 沟道
- **最大漏极源极电压 (VDS)**: 60V
- **最大栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通阻抗 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **低功耗开关电路**:
DMN5L06KQ-7-VB 的小型封装和低电流处理能力使其非常适合用于低功耗开关电路。在这些电路中,如小型电子设备的电源开关或控制开关,该 MOSFET 可以有效地管理电流流动,提供稳定的开关性能。

2. **小型电源管理**:
在小型电源管理模块中,例如便携式电子设备的电源分配系统,DMN5L06KQ-7-VB 的较高导通阻抗和小型封装能够适应有限的空间并处理较低的电流要求。其适合在这些应用中执行基本的电源开关和电流控制功能。

3. **消费电子产品**:
该 MOSFET 适用于各种消费电子产品,如智能手机、平板电脑和小型家电中的电源控制。其小型封装使其能够集成到有限的空间中,提供可靠的开关功能,尽管其导通阻抗相对较高,但足以满足低电流应用的需求。

4. **传感器和小型控制模块**:
在传感器电路或小型控制模块中,DMN5L06KQ-7-VB 的高电压耐受能力和小型封装使其能够在空间受限的环境中工作,并提供所需的开关性能。其导通电阻虽然较高,但在这些低电流应用中仍能有效支持传感器或小型控制器的开关操作。

DMN5L06KQ-7-VB 的小型封装、适中的电压和电流处理能力使其成为各种低功耗开关电路和小型电子设备中理想的 MOSFET 解决方案,能够满足在空间受限的应用中的开关需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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