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DMG3415U-7-VB 产品详细

产品简介:

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**DMG3415U-7-VB** 是一款采用 SOT23-3 封装的单极 P 通道 MOSFET。该器件的最大漏极到源极电压(VDS)为 -30V,适合于中低电压的应用场景。DMG3415U-7-VB 采用 Trench 技术,具有低导通电阻和较低的阈值电压(Vth 为 -1.7V),在不同的栅极驱动电压下提供不同的导通电阻:当 VGS=4.5V 时,RDS(ON) 为 54mΩ,而在 VGS=10V 时,RDS(ON) 为 46mΩ。该 MOSFET 的最大漏极电流(ID)为 -5.6A,使其在低功率应用中表现优异,尤其适用于需要高效开关和低功耗的场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
详细参数说明

- **型号**:DMG3415U-7-VB
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单极 P 通道
- **最大漏极到源极电压(VDS)**:-30V
- **最大栅极到源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 54mΩ(VGS=4.5V)
- 46mΩ(VGS=10V)
- **最大漏极电流(ID)**:-5.6A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

**DMG3415U-7-VB** 是一款高效的 P 通道 MOSFET,适用于多种低功率和中等电压的应用,具体包括:

1. **电池管理系统**:
- 在电池管理系统中,DMG3415U-7-VB 可用作负载开关,控制电池组的充放电路径。其低导通电阻减少了功率损耗,延长了电池寿命,同时确保高效的电流传输。

2. **便携式设备**:
- 在智能手机、平板电脑等便携式设备中,此 MOSFET 可用于电源管理模块,作为电压调节和开关的关键元件。其小型封装和高效能使其适合在有限空间内进行高效功率管理。

3. **电源开关电路**:
- DMG3415U-7-VB 可用于电源开关电路,特别是在需要通过 P 通道 MOSFET 实现高效电源切换的场景。其低导通电阻保证了开关过程中的低功耗和高效能。

4. **LED 驱动器**:
- 在 LED 驱动电路中,该 MOSFET 可以作为开关元件,控制 LED 的亮灭。其高电流承载能力使其能够驱动多个 LED,适合用于照明和显示屏应用。

5. **电压转换器**:
- 在降压转换器或电平转换电路中,DMG3415U-7-VB 可用作开关元件,帮助实现高效的电压转换和电源调节。

这些应用展示了 DMG3415U-7-VB 在各种需要高效能和低功耗的领域中的广泛适用性,尤其是在便携设备和电池供电的系统中表现突出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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