产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-P |
-200V |
20（±V） |
-3V |
-0.8A |
|
|
800mΩ |
|
二、详细参数说明
1. **基本参数**
- **封装类型**：SOT23-3
- **配置**：单P沟道
- **技术**：Trench
2. **电气参数**
- **漏源电压（VDS）**：-200V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：-3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 1100mΩ@VGS=4.5V
- 800mΩ@VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：-0.8A
3. **热学参数**
- **结温范围（Tj）**：-55°C至+150°C
- **热阻（结到壳体）（RθJC）**：典型值50°C/W
4. **动态参数**
- **输入电容（Ciss）**：500pF
- **输出电容（Coss）**：200pF
- **反向传输电容（Crss）**：60pF
领域和模块应用：
三、应用领域和模块示例
**CPH3331-TL-E-VB**由于其高电压和中等电流处理能力，在多个应用领域表现出色。以下是一些具体应用示例：
1. **开关电源**
- 在开关电源中，**CPH3331-TL-E-VB**可以作为高压开关元件，实现电能的高效转换和调节。其高电压能力使其适用于需要处理高电压的电源管理和保护电路。
2. **负载开关**
- 在负载开关应用中，如电池管理系统和电源分配系统，该MOSFET能够可靠地控制负载的开关操作。其中等电流能力和高电压特性确保了负载控制的稳定性和可靠性。
3. **电源保护**
- 在电源保护电路中，**CPH3331-TL-E-VB**可以用于过压保护和过流保护。其高电压能力使其在保护电路中发挥重要作用，防止电源故障对设备造成损害。
4. **小型电子设备**
- 在小型电子设备中，如便携式电源管理和开关控制，该MOSFET的SOT23-3封装适合空间有限的设计需求。它能够在紧凑的空间中提供高电压和稳定的开关功能。
总的来说，**CPH3331-TL-E-VB**在高电压和中等电流应用中表现出色，适合用于开关电源、负载开关、电源保护以及小型电子设备中的开关控制。其高电压处理能力和紧凑封装使其在多种应用场景中具有广泛的适用性。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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