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CMN3407M-VB 产品详细

产品简介:

产品简介详

CMN3407M-VB是一款高性能单P沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,并基于先进的Trench技术制造。这款MOSFET设计用于中等电压和电流的开关应用,具备较低的导通电阻和良好的电流处理能力。CMN3407M-VB特别适合用于对空间和效率有严格要求的电子设备中,能够在较小的封装中提供高效、可靠的开关性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
详细的参数说明

- **型号**: CMN3407M-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS=4.5V
- 46mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -5.6A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **移动设备**:
- 在移动设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,CMN3407M-VB的SOT23-3封装非常适合空间有限的设计需求。其低导通电阻和高电流处理能力使其能够在高效电源管理和开关控制中提供稳定的性能,帮助延长电池寿命和提升设备的整体效能。

2. **电源管理**:
- 在电源管理系统,如DC-DC转换器和负载开关,CMN3407M-VB以其低导通电阻和良好的电流处理能力,有助于提高系统效率和可靠性。它能够有效控制电源流动,减少功耗和热量生成,从而提升电源模块的性能。

3. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中,例如车载电池管理和控制模块,CMN3407M-VB的高电流承载能力和小型封装使其适用于需要高效开关控制的场景。它在苛刻环境中的稳定性和可靠性是确保车载系统长期稳定运行的关键。

4. **工业控制**:
- 在工业自动化和控制应用中,CMN3407M-VB的低导通电阻和紧凑封装使其非常适合用于小型电机驱动和开关控制。它能够在需要高效能和耐用性的工业环境中发挥出色的表现,提高系统的整体效率和稳定性。

CMN3407M-VB凭借其高效的开关性能和紧凑的封装,在移动设备、电源管理、汽车电子和工业控制等多个领域提供了可靠的解决方案,满足了各种应用的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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