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CMN3401-VB 产品详细

产品简介:

CMN3401-VB MOSFET 产品简介

**CMN3401-VB** 是一款高性能 P-Channel MOSFET,采用 SOT23-3 封装,设计用于负压应用。它具有较低的导通电阻和高电流承载能力。该 MOSFET 的漏源电压(VDS)为 -30V,栅源电压(VGS)可达到 ±20V。门限电压(Vth)为 -1.7V。在 4.5V 和 10V 的栅源电压下,其导通电阻分别为 54mΩ 和 46mΩ,最大漏极电流(ID)为 -5.6A。其 Trench 技术保证了高效的开关性能和较低的功耗,适用于各种要求高效能和可靠性的电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
CMN3401-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单个 P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: -1.7V
- **RDS(ON)**:
- 54mΩ @ VGS = 4.5V
- 46mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -5.6A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

CMN3401-VB MOSFET 的应用示例

1. **负载开关**:
- 在负载开关应用中,CMN3401-VB 可以用于高效控制负载的开关。由于其低导通电阻和较高的电流能力,这款 MOSFET 能够在高负荷情况下有效地开关负载,减少功耗和发热。

2. **DC-DC 转换器**:
- 在 DC-DC 转换器电路中,CMN3401-VB 可以作为开关器件用于调节电源转换过程。其低导通电阻可以提高转换器的效率,减少电能损耗,并改善电源转换性能。

3. **电源管理**:
- 在电源管理电路中,CMN3401-VB 适用于电源分配和保护应用。它可以有效地控制电源路径,提供稳定的电源输出,并在过流或过压条件下提供保护。

4. **低压电路保护**:
- 这款 MOSFET 也适用于低压电路中的保护应用,例如短路保护或过流保护。其高电流承载能力和可靠的开关性能可以有效保护电路免受意外故障的影响。

5. **负载调节**:
- 在需要负载调节的应用中,CMN3401-VB 可用于精确控制负载的开关状态和电流流动。例如,在 LED 驱动电路中,可以使用此 MOSFET 来调节 LED 的亮度和功耗。

CMN3401-VB MOSFET 的设计使其在负压和高电流应用中表现出色。其低导通电阻和小型封装使其非常适合用于各种高效能的电源管理和负载控制电路。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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