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CMN3400M-VB 产品详细

产品简介:

CMN3400M-VB 产品简介

CMN3400M-VB 是一款小型N沟道MOSFET,采用 SOT23-3 封装,专为低电压、高效率应用设计。其最大漏源电压为 30V,栅源电压范围为 ±20V,适合在多种电源管理和开关应用中使用。该MOSFET 使用 Trench 技术,具有较低的导通电阻和较高的漏极电流能力,提供优良的性能和高效的电流传导。CMN3400M-VB 非常适合用于便携式电子设备和电源管理电路中,以满足其对低功耗和高效能的要求。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
CMN3400M-VB 详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **沟道配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:6.5A
- **技术类型**:Trench

领域和模块应用:

CMN3400M-VB 应用领域和模块示例

1. **便携式电子产品**:
- **智能手机和手持设备**:CMN3400M-VB 适合用于智能手机、平板电脑等手持设备中的电源开关和电池管理电路。其低导通电阻和高电流能力有助于提高电池使用效率并延长设备的使用时间。
- **可穿戴设备**:在智能手表和健康追踪器等可穿戴设备中,该MOSFET 可以用作电源开关,提供高效的电流传导和降低功耗。

2. **电源管理系统**:
- **DC-DC转换器**:CMN3400M-VB 在DC-DC降压和升压转换器中应用广泛。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提升转换效率。
- **电池保护电路**:该MOSFET 可用于电池保护电路中,防止过流和短路,提高电池系统的安全性和可靠性。

3. **小型电机驱动**:
- **微型电机驱动**:在微型电机驱动应用中,如无人机或机器人,CMN3400M-VB 提供了高电流能力和低导通电阻,确保电机在小型电机驱动中能够稳定运行。
- **风扇控制**:CMN3400M-VB 也适用于风扇控制电路,提供可靠的开关控制,保持风扇的高效运行。

4. **开关电源**:
- **开关电源模块**:在开关电源模块中,CMN3400M-VB 可以用作开关元件,确保高效的电源转换和稳定的输出电压。
- **充电器电路**:该MOSFET 也适用于充电器电路,提供高效的电流管理,优化充电过程。

CMN3400M-VB 的低导通电阻、高电流能力和小型封装使其在便携式电子产品、电源管理系统、小型电机驱动和开关电源等应用中表现优异,提供了高效、可靠的电源解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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