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CMN2308M-VB 产品详细

产品简介:

CMN2308M-VB MOSFET 产品简介

CMN2308M-VB 是一款高性能单N通道MOSFET,封装形式为SOT23-3,专为中低压应用设计。其漏源电压(VDS)为60V,栅源电压(VGS)为±20V,具有1.7V的阈值电压(Vth)。在4.5V的栅源电压下,其导通电阻(RDS(ON))为86mΩ,而在10V的栅源电压下为75mΩ。CMN2308M-VB的最大漏极电流(ID)为4A,采用Trench技术以提供优异的开关性能和低导通电阻。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 4A 75mΩ
CMN2308M-VB MOSFET 详细参数说明

1. **封装**
- **类型**:SOT23-3

2. **配置**
- **类型**:单N通道

3. **电气参数**
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V

4. **导通电阻**
- **RDS(ON) @ VGS=4.5V**:86mΩ
- **RDS(ON) @ VGS=10V**:75mΩ

5. **电流**
- **最大漏极电流(ID)**:4A

6. **技术**
- **制造工艺**:Trench技术

领域和模块应用:

CMN2308M-VB MOSFET 应用领域和模块

1. **电源管理**
- **应用实例**:CMN2308M-VB 适用于低功率DC-DC转换器和稳压电路中,其小巧的SOT23-3封装和低导通电阻保证了高效的电源转换和稳压性能,特别适合于空间有限的应用。

2. **消费电子**
- **应用实例**:该MOSFET广泛用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源开关和调节电路。其低导通电阻和优异的开关特性能够提升设备的功率效率和整体性能。

3. **电池管理**
- **应用实例**:在电池管理系统中,CMN2308M-VB 可用于电池保护和充电控制,其60V的漏源电压和高电流处理能力使其适用于各种电池管理应用,确保电池的安全和稳定性。

4. **LED驱动**
- **应用实例**:在LED驱动电路中,该MOSFET可以作为开关使用,以控制LED的亮度和开关状态。其低导通电阻和高开关速度使其在LED照明中表现优异。

5. **自动化控制**
- **应用实例**:CMN2308M-VB 可用于工业自动化设备中的开关电路,如继电器驱动和负载开关。其高效的开关性能和小封装使其适用于各种控制和切换应用。

6. **信号开关**
- **应用实例**:该MOSFET可用于信号开关电路中,如音频信号切换和小信号调节。其低导通电阻和快速开关特性提供了高质量的信号处理能力。

CMN2308M-VB MOSFET 以其优异的性能和紧凑的封装,为各种中低压应用提供了可靠的解决方案,特别适用于要求高效开关和低功耗的应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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