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CMN2302MS-VB 产品详细

产品简介:

一、CMN2302MS-VB 型号的产品简介

CMN2302MS-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,封装形式为SOT23-3。这款MOSFET 采用先进的Trench技术,具有20V的漏源极电压(VDS)和±20V的栅源极电压(VGS)。它的栅极阈值电压(Vth)范围为0.5~1.5V,导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时为20mΩ,在VGS=2.5V时为25mΩ,漏极电流(ID)最大可达6A。CMN2302MS-VB 设计用于高效率、小型化的电路解决方案,适合在低电压和高电流开关应用中使用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 20(±V) 0.5~1.5V 6A 25mΩ
二、CMN2302MS-VB 型号的详细参数说明

| 参数 | 数值 | 单位 |
| ---------------- | ----------------- | ------ |
| 封装 | SOT23-3 | |
| 配置 | 单N沟道 | |
| 漏源极电压 (VDS) | 20 | V |
| 栅源极电压 (VGS) | ±20 | V |
| 栅极阈值电压 (Vth) | 0.5~1.5 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @VGS=2.5V | 25 | mΩ |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @VGS=4.5V | 20 | mΩ |
| 漏极电流 (ID) | 6 | A |
| 技术 | Trench | |

领域和模块应用:

三、CMN2302MS-VB 的应用领域和模块

CMN2302MS-VB 的高效率和小型化设计使其适用于多种低电压和高电流开关应用:

1. **便携式电子设备**:由于其小型化的SOT23-3封装和高开关效率,CMN2302MS-VB 非常适合用于便携式电子设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理和电流开关。其低导通电阻确保了高效能和较低的功耗,延长了设备的电池寿命。

2. **LED驱动器**:在LED照明系统中,该MOSFET 可以作为高效的开关,用于控制LED的电流,保证LED的亮度稳定和能效优化。其低导通电阻可以减少发热,提升系统的整体性能。

3. **小型电源转换器**:CMN2302MS-VB 适用于小型DC-DC转换器和其他电源转换应用,通过其高开关效率和低导通电阻来提高转换效率和稳定性。适合在紧凑型电子产品中使用。

4. **计算机和通信设备**:在计算机主板和通信设备中,该MOSFET 可以用于电源管理和信号开关,帮助实现高效的电力传输和信号处理。其高电流处理能力适合用于高性能的计算机和网络设备。

5. **电池管理系统**:在电池管理系统中,CMN2302MS-VB 可用于电池的开关控制和保护功能,处理较大的电流,确保电池系统的安全和高效运行。

6. **汽车电子**:在汽车电子设备中,该MOSFET 可以用于低电压电源开关和电流管理,适用于各种汽车电子模块,包括控制单元和照明系统,提供高效的开关性能。

CMN2302MS-VB 凭借其出色的开关特性和小型封装,是许多低电压、高效率应用的理想选择,能够有效地满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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