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CMN2301M-VB 产品详细

产品简介:

CMN2301M-VB MOSFET 产品简介

CMN2301M-VB 是一款高性能单P沟道MOSFET,封装为SOT23-3。这款MOSFET 具有高开关效率和低导通电阻,专为低电压应用设计,适合需要高开关速度和低功耗的场合。其Trench技术确保了优秀的电流处理能力和高效的开关性能,使其适用于各种现代电子设备和小型电源管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -20V 12(±V) -0.8V -4A 80mΩ 60mΩ
CMN2301M-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:-20V
- **栅源极电压 (VGS)**:±12V
- **阈值电压 (Vth)**:-0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS=2.5V
- 65mΩ @ VGS=4.5V
- 60mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:-4A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:


### CMN2301M-VB MOSFET 应用领域和模块

#### 低电压电源管理
CMN2301M-VB 在低电压电源管理系统中表现优异,尤其适用于便携式设备和低电压电源系统。其低导通电阻在小型电源管理应用中提供了高效的功率转换,减少了功耗和热量产生。

#### 小型电子设备
由于其紧凑的SOT23-3封装,CMN2301M-VB 适用于空间有限的小型电子设备,如手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些应用中,它的高开关速度和低导通电阻可以提高系统的整体性能和电池寿命。

#### 开关电源
在低电压开关电源中,CMN2301M-VB 可用作高效的开关元件。其低RDS(ON)值减少了开关损耗,增强了电源的效率,适合用于DC-DC转换器和负载开关等应用。

#### 电机驱动
CMN2301M-VB 也可用于电机驱动系统中,尤其是在低电压的小型电机应用中。其低导通电阻和高开关效率有助于提高电机驱动的性能和可靠性,确保系统在高负载下的稳定运行。

综上所述,CMN2301M-VB MOSFET 由于其低电压、高开关效率和紧凑封装,适合用于低电压电源管理、小型电子设备、开关电源和电机驱动等领域。其Trench技术保证了在这些应用中的稳定和高效性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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