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CMN2300AM-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**CMN2300AM-VB** 是一款高效的单N沟道MOSFET,封装为SOT23-3。这款MOSFET能够在20V的漏源电压(VDS)下工作,具有较低的导通电阻和高效的电流处理能力。其最大门源电压(VGS)为±12V,适合各种驱动电路的应用。门阈值电压(Vth)范围为0.5V至1.5V,确保在低电压下能够有效开启。CMN2300AM-VB采用沟槽(Trench)技术,提供了较低的导通电阻,在VGS=2.5V时为42mΩ,在VGS=4.5V时为28mΩ,其最大漏极电流(ID)为6A。该器件特别适合用于低电压开关和电源管理应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **最大门源电压 (VGS)**: ±12V
- **门阈值电压 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 2.5V
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**: 6A
- **技术**: 沟槽(Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块

**CMN2300AM-VB** 的低电压处理能力和较高的电流处理能力使其在多个领域和模块中具有广泛的应用。以下是一些具体应用示例:

1. **低电压开关**:在低电压开关应用中,CMN2300AM-VB 可作为开关元件,用于控制低电压电路的开关操作。其20V的漏源电压和低门阈值电压确保了在低电压环境下的稳定性和可靠性。

2. **电源管理系统**:在电源管理系统中,该MOSFET 可用于低电压电源的开关和调节。其较低的RDS(ON)值和高电流处理能力有助于提高电源管理的效率和稳定性。

3. **便携式电子设备**:在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和其他小型电子设备,CMN2300AM-VB 可用于电源管理和电压调节。其小封装和高效性能非常适合空间有限的应用。

4. **DC-DC转换器**:在DC-DC转换器应用中,这款MOSFET 可用于低电压下的开关控制。其低导通电阻和高效能确保了转换器的高效率和稳定性。

5. **负载开关**:在负载开关应用中,CMN2300AM-VB 可用于控制各种负载的开关,如LED驱动、电机控制等。其低电压开启能力和高电流处理能力确保了负载开关的可靠性和性能。

通过以上应用示例,可以看出**CMN2300AM-VB** 在低电压高效开关应用中表现出色,适用于各种需要高效能和可靠性的电子设备和系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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