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BVSS84LT1G-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

**BVSS84LT1G-VB** 是一款高性能N沟道MOSFET,采用沟槽技术(Trench Technology),封装为紧凑的SOT23-3封装。此MOSFET设计用于低功率和中等电压应用,具有60V的漏源电压能力和0.3A的漏极电流能力。其低阈值电压和较高的导通电阻使其适合在需要高开关效率和稳定性的场合中使用,如便携设备和小型电子电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、详细参数说明

- **型号**: BVSS84LT1G-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟槽(Trench)

领域和模块应用:

三、适用领域和模块

**BVSS84LT1G-VB** 的特性使其在以下领域和模块中表现出色:

1. **低功率开关应用**:在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和便携式音响系统,该MOSFET 可以用作低功率开关,控制设备的电源或信号路径,提供可靠的开关性能。

2. **信号调理**:在小型信号调理电路中,例如传感器信号放大器和滤波器,该MOSFET 的低阈值电压和较低的导通电阻使其适合用于精确的信号调节和处理。

3. **低电流电源管理**:在低电流电源管理应用中,如电池驱动的设备和低功耗电源模块,BVSS84LT1G-VB 能够高效地控制电流,并延长电池寿命。

4. **小型负载驱动**:在驱动小型负载的电路中,如LED照明和小型继电器,该MOSFET 可以提供足够的电流驱动能力,同时保持高效的开关性能。

5. **开关控制电路**:在开关控制电路中,例如数字电路和微控制器接口,该MOSFET 的紧凑封装和良好的电气特性使其成为控制信号路径和实现开关功能的理想选择。

**BVSS84LT1G-VB** 的高电压耐受能力和优异的开关特性,使其在低功率和中等电压应用中表现出色,广泛应用于便携设备、信号调理、电源管理以及小型负载驱动等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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