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BVSS138LT1G-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**BVSS138LT1G-VB** 是一款高电压、小封装的单通道N沟道MOSFET,采用了Trench技术,封装形式为SOT23-3。这款MOSFET设计用于需要高耐压和紧凑封装的应用。BVSS138LT1G-VB的最大漏源电压(VDS)为60V,最大栅源电压(VGS)为±20V。其栅极阈值电压(Vth)为1.7V。在栅源电压为4.5V时,导通电阻(RDS(ON))为3100mΩ,而在10V栅源电压下,导通电阻降至2800mΩ。它能够承受的最大漏极电流(ID)为0.3A。由于其紧凑的SOT23-3封装和高电压特性,BVSS138LT1G-VB非常适合用于小型电子设备的开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **型号**: BVSS138LT1G-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单通道N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 60V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

**BVSS138LT1G-VB** MOSFET在多个领域和模块中具有广泛的应用,具体如下:

1. **便携式电子设备**:
- 在便携式电子设备中,BVSS138LT1G-VB由于其小巧的SOT23-3封装,适合用于空间受限的应用场景,如智能手机、平板电脑和便携式音响系统。
- 其高耐压特性和适中的导通电阻使其成为电源开关和控制电路的理想选择。

2. **电池管理系统**:
- 在电池管理系统中,该MOSFET用于电池保护和电流控制,提供可靠的开关功能,确保电池安全和性能。
- 高电压耐受能力和稳定的导通性能使其在电池充电和放电管理中表现优异。

3. **小型开关电源**:
- 在小型开关电源模块中,BVSS138LT1G-VB适用于低功率开关应用,如小型DC-DC转换器和电源适配器。
- 其紧凑的封装和高电压特性有助于提高电源转换效率,并节省空间。

4. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中,该MOSFET可以用于小型电源开关和保护电路,如LED照明、车载充电器和小型驱动电路。
- 小封装和高电压耐受能力使其适合用于汽车内部的各种小型电子模块。

5. **通信设备**:
- 在通信设备中,BVSS138LT1G-VB可以用作开关控制和信号路径选择,适用于无线通信和网络设备。
- 其高耐压和小封装使其能够满足通信设备对小型、高效能开关元件的需求。

通过这些应用示例,可以看出BVSS138LT1G-VB MOSFET在便携式电子设备、电池管理系统、小型开关电源等多个领域中的重要性,能够满足小型、高电压和低功率应用的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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