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BSS670S2L-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**BSS670S2L-VB** 是一款高压单通道 N 型 MOSFET,封装形式为 SOT23-3。该器件设计用于中等电压和低电流应用,最大漏极电流为 0.3A,漏极-源极耐压为 60V。具有较高的 RDS(ON)(2800mΩ @ VGS=10V),适合中等功率和低电流的开关应用。其阈值电压为 1.7V,栅极-源极耐压为 ±20V,采用沟道工艺(Trench),提供稳定的开关性能。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: BSS670S2L-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单通道 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟道工艺 (Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块

**BSS670S2L-VB** 在以下领域和模块中具有广泛应用:

1. **小型电源开关**:用于低功率电源开关和电源管理系统,适合各种小型电子设备和低功耗电路。
2. **高压开关**:在中等电压应用中提供开关控制,如小型电源适配器和中压负载切换。
3. **信号切换**:适用于信号路径切换和开关电路,适合音频、视频和数字信号处理。
4. **LED 驱动**:在低功率 LED 驱动电路中使用,提供高效的开关控制,适合低电流照明应用。
5. **小型电子设备**:用于便携式电子产品和低功耗设备的开关和控制功能,支持稳定的操作和高效的电源管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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