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BSS123-7-VB 产品详细

产品简介:

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BSS123-7-VB是一款高电压单管N沟道MOSFET,封装形式为SOT23-3。该MOSFET具有100V的漏极-源极耐压和±20V的栅极-源极耐压,门槛电压为1.5V。采用Trench技术制造,虽然导通电阻较高,但仍适用于一些需要高电压耐受的开关应用。

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产品参数:

参数说明

- **型号**: BSS123-7-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单管N沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V栅极驱动下: 3000mΩ
- 10V栅极驱动下: 2800mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 0.26A
- **技术**: Trench技术

领域和模块应用:

应用领域

BSS123-7-VB适用于以下领域和模块:

1. **高电压开关**: 由于其高达100V的耐压能力,适用于需要高电压耐受的开关应用,如电源开关和高压控制。
2. **信号开关**: 在信号开关应用中,尽管导通电阻较高,但其高耐压特性使其适合处理较高电压的信号。
3. **保护电路**: 用于保护电路中,作为高电压下的开关元件,提供电流切换和电压保护。
4. **小功率开关**: 在小功率设备中作为开关元件,尤其是在需要高电压的场合,如电子设备中的开关控制。

该MOSFET的高电压耐受能力使其在处理高电压开关和保护应用中具有优势。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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