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BSH121-VB 产品详细

产品简介:

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**BSH121-VB** 是一款单极性N沟道功率MOSFET,封装为SOT23-3。该MOSFET具有60V的漏源电压(VDS),并支持最大±20V的栅极源电压(VGS)。其阈值电压(Vth)为1.7V,导通电阻为3100mΩ(VGS=4.5V)和2800mΩ(VGS=10V),最大漏电流为0.3A。MOSFET采用沟槽技术,适合用于低电压和小电流的开关应用。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: BSH121-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单极性N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟槽技术

领域和模块应用:

适用领域和模块

**BSH121-VB** 功率MOSFET 适用于以下领域和模块:

1. **低功耗开关电路**:在低电压和低电流的开关应用中作为开关元件,适合电子设备的小型电源管理和开关控制。

2. **电池供电设备**:用于移动设备和小型电池供电设备中,进行电流控制和电源管理,确保设备的高效能量利用。

3. **小型电机驱动**:在小功率电机驱动系统中,用于小电流负载的开关控制,适合小型电机和微型驱动应用。

4. **消费电子产品**:在消费电子产品中如便携式设备和电路保护模块中使用,处理低电流的开关需求,优化电源效率和设备性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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