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VBW1603 产品详细

产品简介:

VBW1603是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),主要参数包括耐压(VDS)为60V,门源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为3V,以及在不同门源电压下的导通电阻(RDSon)。其封装形式为TO3P。

VBW1603适用于高功率和高电压的场合,可广泛应用于各种大功率电子设备和模块中。

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产品参数:

产品型号:VBW1603
品牌:VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V):60
- VGS(±V):20
- Vth(V):3
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):4
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):3
- ID (A):210
- Technology:Trench
封装:TO3P

领域和模块应用:

以下是该产品在不同领域和模块中的应用举例:

1. **电源开关模块**:由于VBW1603具有高功率特性和低导通电阻,适合用作电源开关模块中的功率开关器件,例如用于开关电源、电源逆变器和稳压器等。

2. **工业电机驱动模块**:在工业电机驱动系统中,VBW1603可以作为电机驱动模块中的功率开关器件,用于控制各种工业电机的启停、转向和速度调节,提高工业生产设备的性能和效率。

3. **电力传输模块**:作为电力传输系统中的功率开关器件,VBW1603可以应用于电力电子变流器、电力调频设备和电网稳定器等,实现电力传输和配电系统的高效转换和控制。

4. **电动汽车充电桩模块**:在电动汽车充电桩中,VBW1603可用作充电桩模块中的功率开关器件,用于控制充电电流和电压,保障电动汽车的充电安全和效率。

综上所述,VBW1603适用于各种需要高功率和高电压的电子设备和模块中,包括电源开关模块、工业电机驱动模块、电力传输模块以及电动汽车充电桩模块等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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