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VBW1254N 产品详细

产品简介:

VBW1254N是VBsemi公司推出的Single N型沟道MOSFET,具有以下特点:
- 额定漏极-源极电压(VDS)为250V,适用于中高压应用;
- 门极-源极电压(VGS)为±20V,具有较大的工作范围;
- 阈值电压(Vth)为3.5V,具有优异的开启特性;
- 在门极电压为10V时的导通电阻(RDS(on))为40mΩ,导通电阻较低,能够降低功耗并提高效率;
- 最大漏极电流(ID)为60A,具有较大的工作电流容量;
- 采用Trench技术,具有稳定可靠的性能;
- 封装形式为TO3P,具有良好的散热性能和机械强度。

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产品参数:

参数:
- Single N型
- VDS(V):250
- VGS(±V):20
- Vth(V):3.5
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):40
- ID (A):60
- 技术:沟道MOSFET(Trench)
封装:TO3P

领域和模块应用:

应用简介:
VBW1254N适用于多种领域和模块,包括但不限于:
1. 电力电子模块:由于其较高的额定电压和较大的电流容量,VBW1254N可用于高压电力电子模块,如电力变换器、电动汽车充电桩和工业电力调频器等,实现高效稳定的电力转换和控制。
2. 高频开关模块:在高频电子设备中,VBW1254N可用作高频开关模块的关键元器件,如通信设备、雷达系统和高频功率放大器等,提供稳定高效的开关控制功能。
3. 驱动模块:VBW1254N的低导通电阻和大电流容量使其非常适合用作驱动模块,如电机驱动、照明驱动和电动车控制器等,提高系统效率和性能。
4. 太阳能逆变器模块:在太阳能发电系统中,VBW1254N可用作逆变器模块的关键元器件,实现太阳能电能的高效转换和稳定输出。
5. 汽车电子模块:由于其高电压和大电流特性,VBW1254N可应用于汽车电子模块,如电动汽车驱动系统、电池管理系统和车载充电器等,提升汽车的动力性能和安全性。

以上是VBW1254N产品在各个领域和模块中的应用示例,说明了其在不同应用场景下的优势和适用性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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