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VBW1202N 产品详细

产品简介:

VBW1202N是一款单N型的Trench技术MOSFET,具有200V的漏极-源极电压(VDS),±20V的门极-源极电压(VGS),4V的阈值电压(Vth),以及14毫欧的导通电阻。它能够承受最大96安培的漏极电流(ID)。该器件采用TO3P封装。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N型
- VDS(V): 200
- VGS(±V): ±20
- 阈值电压(V): 4
- VGS=10V时的导通电阻(毫欧): 14
- 最大漏极电流(ID) (安培): 96
- 技术: Trench
封装: TO3P

领域和模块应用:

**详细参数说明:**

**应用简介:**
1. **工业电源**: 由于VBW1202N具有高耐压和高导通电流能力,适用于工业电源模块,包括高功率电源开关和工业UPS系统。

2. **电动车辆**: 在电动车辆中,该器件可用于电动汽车的电池管理系统、充电器和驱动控制器,以实现高效的电力管理和控制。

3. **太阳能逆变器**: 由于其高耐压特性,VBW1202N适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。

4. **电焊设备**: 该器件可用于工业电焊设备中的功率开关模块,确保高效的电能转换和稳定的焊接过程。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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