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VBW1152N 产品详细

产品简介:

VBW1152N型号具有较高的额定漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低漏极电阻,适合用于高性能电源系统中的开关电源、DC-DC转换器等模块。具有高额定漏极-源极电压和漏极电流能力,以及采用Trench技术。

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产品参数:

产品型号:VBW1152N
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):150V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极电阻(mΩ):17
- 最大漏极电流(ID):90A
- 技术:Trench
封装:TO3P

领域和模块应用:


该产品适用于以下领域和模块:

1. **高性能电源系统**:
VBW1152N具有较高的额定漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低漏极电阻,适合用于高性能电源系统中的开关电源、DC-DC转换器等模块。它可以提供高效的能量转换和稳定的电源输出,满足对高性能电源的需求。

2. **工业电机驱动**:
在工业领域,VBW1152N可用于电机驱动模块,如电机控制器、变频器等。其高漏极电流和额定漏极-源极电压,以及先进的Trench技术,能够实现高效的电机驱动和精确的速度控制,提高工业生产效率。

3. **电动汽车动力模块**:
由于其高额定漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低漏极电阻,VBW1152N适合用于电动汽车中的动力模块,如电机控制器、电池管理系统等。它可以提供稳定的动力输出,实现电动汽车的高效驱动和长续航里程。

4. **太阳能逆变器**:
该型号MOSFET适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,具有优异的功率特性和高效的能量转换能力。其高额定漏极-源极电压和漏极电流能力,以及Trench技术,能够实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,提高太阳能发电系统的整体效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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