VBW1101N - VBsemi MOS管制造商

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VBW1101N是VBsemi推出的单N型场效应晶体管（FET），采用了Trench技术，具有高性能和可靠性。它适用于各种高功率电源管理和功率控制应用，提供了可靠的功率转换和稳定的电流驱动能力。如工业电源、电机驱动、高性能电源模块等。

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产品参数：

**参数：**
- **类型：** 单N型
- **最大漏极-源极电压（VDS）：** 100V
- **最大栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 2.5V
- **在VGS=4.5V时的导通电阻（mΩ）：** 10mΩ
- **在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：** 9mΩ
- **最大漏极电流（ID）：** 100A
- **技术：** Trench
- **封装：** TO3P

领域和模块应用：

**应用领域举例：**
1. **电源逆变器：** VBW1101N可用于制造高功率的电源逆变器，将直流电转换为交流电，适用于工业电源、UPS（不间断电源）等应用。
2. **工业电机驱动：** 在工业电机驱动系统中，该晶体管可用于高功率的电机驱动器，实现高效率和稳定性的电机控制。
3. **高性能电源模块：** 在高性能电源模块中，VBW1101N可以用作开关管，实现高频率的电源转换和稳定的输出。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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