产品简介：
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VBsemi 的 VBTA5220N 是一款双 N 型和 P 型场效应晶体管，具有 ±20V 的漏极-源极电压（VDS）、12V 的栅极-源极电压（VGS）、1.0/-1.2V 的阈值电压（Vth），以及 0.6/-0.3A 的漏极电流（ID）。采用 Trench 技术制造，封装为 SC75-6。
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产品参数：
详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 产品型号：VBTA5220N
- 类型：双 N 型和 P 型场效应晶体管
- VDS（漏极-源极电压）：±20V
- VGS（栅极-源极电压）：12V
- Vth（阈值电压）：1.0/-1.2V
- RDS(on) VGS=2.5V 时的导通电阻：410/840 mΩ
- RDS(on) VGS=4.5V 时的导通电阻：270/660 mΩ
- 最大漏极电流（ID）：0.6/-0.3A
- 技术：Trench
- 封装：SC75-6
领域和模块应用：
应用示例：
1. 电源管理模块：适用于便携式电子设备中的电池管理和功率开关。
2. DC-DC 变换器：用于电源转换器中的高效能电源调节。
3. 光伏逆变器：适用于太阳能光伏发电系统中的逆变器电路。
4. 车载电子系统：用于汽车电子系统中的电源管理和控制单元。
5. 无线通信设备：适用于无线路由器和基站中的功率放大和调节模块。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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