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VBTA4250N 产品详细

产品简介:

VBTA4250N是VBsemi生产的双通道功率型沟道型MOSFET,适用于各种电路设计,适用于电池保护、低功耗开关电源和信号放大器等领域的模块设计,在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。其参数特性使其在低功耗、中等电压的应用环境中表现优异。

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产品参数:

**产品型号:** VBTA4250N
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- **Dual P+P:** 双通道功率型
- **VDS(V):** 栅源电压范围:-20V
- **VGS(±V):** 栅极-源极电压范围:±12V
- **Vth(V):** 阈值电压:-0.6V
- **RDS(on) VGS=2.5V(mΩ):** 静态导通电阻(在栅极-源极电压为2.5V时):500mΩ
- **RDS(on) VGS=4.5V(mΩ):** 静态导通电阻(在栅极-源极电压为4.5V时):450mΩ
- **ID (A):** 栅源电流范围:-0.5A
- **Technology:** 沟道型
- **封装:** SC75-6

领域和模块应用:

**应用举例:**

**1. 电池保护模块:**
VBTA4250N的低功耗和双通道设计使其成为电池保护模块中的理想选择。例如,可用于电池管理系统中的电池保护电路,监测电池电压和电流,保护电池免受过充、过放、短路等损害。

**2. 低功耗开关电源:**
由于VBTA4250N具有低静态导通电阻和低功耗特性,适合用于低功耗开关电源中的开关电路。例如,可用于便携式电子设备中的DC-DC转换器,实现高效的能量转换和节能。

**3. 信号放大器模块:**
在信号放大器模块中,VBTA4250N可以作为信号放大器的关键组件。其低静态导通电阻和双通道设计可以实现对信号的快速放大和精确控制,保证信号放大器的稳定性和性能表现。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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