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VBTA3615M 产品详细

产品简介:

VBTA3615M是一款双N型沟道MOSFET,适用于工作在60V的电路中。其栅极-源极电压范围为±20V,阈值电压为1.7V。在不同栅极-源极电压下,漏极-源极电阻分别为1500mΩ(在VGS=4.5V时)和1200mΩ(在VGS=10V时)。最大漏极电流为0.3A。采用Trench技术,封装为SC75-6。

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产品参数:

产品型号:VBTA3615M
品牌:VBsemi
参数:
- 架构:Dual N+N
- VDS(漏极-源极电压):60V
- VGS(栅极-源极电压)(±V):20V
- 阈值电压(Vth):1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):1500
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):1200
- 最大漏极电流(ID):0.3A
- 技术:Trench
封装:SC75-6

领域和模块应用:

**应用简介:**
1. **电源管理模块**:VBTA3615M的60V漏极-源极电压和低漏极-源极电阻特性使其适合用于电源管理模块中的开关电源和DC-DC转换器。

2. **电动车充电模块**:由于其较高的漏极-源极电压和可靠的性能,VBTA3615M可用于电动车充电模块中的功率开关。

3. **工业自动化模块**:在工业自动化领域,VBTA3615M可应用于工业控制系统中的电源开关和逆变器模块,以提供稳定可靠的电源转换功能。

4. **LED照明控制模块**:VBTA3615M的低漏极-源极电阻和适中的电流承受能力使其适合用于LED照明控制模块中的开关电源和驱动器,以实现高效能量转换和稳定的光输出。

5. **电动工具驱动模块**:在电动工具驱动系统中,VBTA3615M可作为功率开关器件,用于驱动电机并控制电动工具的速度和转矩。

6. **消费电子产品模块**:例如充电器、手机和平板电脑等消费电子产品中的电源管理模块,VBTA3615M可提供高效的电能转换和稳定的输出电压。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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