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VBTA32S3M 产品详细

产品简介:

VBTA32S3M是一款双N+N沟道场效应管,适用于低功率应用场景。具有低阈值电压、低开启电阻和较低的漏极电流等特性,适用于需要节能和低功耗的电路设计。采用Trench技术制造,具有优良的温度特性和高可靠性。

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产品参数:

参数:
- 类型:Dual N+N
- 额定漏极-源极电压(VDS):20V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):0.5~1.5V
- 开启电阻(RDS(on)):
- VGS=2.5V时:360mΩ/360mΩ
- VGS=4.5V时:300mΩ/300mΩ
- 额定漏极电流(ID):1A
- 技术:Trench
- 封装:SC75-6

领域和模块应用:

示例应用:
1. 低功耗电子模块:由于VBTA32S3M具有低阈值电压和低开启电阻的特点,适合用于低功耗电子模块中的电源管理和信号调节。例如,可用于便携式智能设备中的电池管理电路和功率控制模块。

2. 传感器接口模块:在传感器接口模块中,VBTA32S3M可用于传感器的电源控制和信号放大。例如,可用于工业自动化领域中的传感器接口电路,实现对传感器信号的放大和精确控制。

3. 小型电动机驱动模块:由于VBTA32S3M具有较低的漏极电流和低功耗特性,适合用于小型电动机驱动模块中的电流控制和电压调节。例如,可用于智能玩具中的小型电机驱动电路,实现对电机速度和转向的精确控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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