VBTA3230NS是一款双N+N型MOSFET，具有20V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS）、0.5~1.5V的阈值电压（Vth）、350mΩ（VGS=2.5V）和300mΩ（VGS=4.5V）的导通电阻（RDS(on)），以及0.6A的漏极电流（ID）。采用Trench工艺制造，封装为SC75-6。