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VBTA2610N 产品详细

产品简介:

VBTA2610N是VBsemi公司推出的一款高性能单P型场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有可靠的漏极-源极电压和栅极-源极电压,以及较低的阈值电压,适用于各种功率电路设计。采用Trench技术制造,具有良好的导通特性和稳定性。SC75-3封装适用于小型功率电路,具有占用空间小、安装方便等特点。

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产品参数:

**产品型号:** VBTA2610N
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 电源类型:Single P
- 最大漏极-源极电压(VDS):-60V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):-1.7V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):120
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):100
- 最大漏极电流(ID):-2A
- 技术:Trench
**封装:** SC75-3

领域和模块应用:






**举例说明:**
1. 手持式设备充电模块:VBTA2610N可用于手持式设备充电模块中的电源管理和充电控制,确保充电过程的安全稳定,并提高充电效率。
2. 便携式医疗设备模块:在便携式医疗设备模块中,VBTA2610N适用于电源管理和电流控制,确保医疗设备的可靠运行,并延长电池寿命。
3. 智能家居控制模块:由于VBTA2610N具有较低的漏极-源极电阻和较低的阈值电压,可用于智能家居控制模块中的功率放大和信号调节,提高家居控制系统的响应速度和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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