MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBTA1290 产品详细

产品简介:

该产品是一款单体N沟道MOSFET,适用于20V的最大漏极-源极电压和±12V的最大栅极-源极电压。阈值电压为0.5~1.5V,漏极电流可达2A,采用Trench技术制造。封装为SC75-3。适用于多种领域和模块,特别适用于低功耗电子产品、环保节能产品和控制模块等需要低功耗和高性能的应用场合。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

产品型号: VBTA1290
品牌: VBsemi
参数:
- 单体N沟道MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS): 20V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±12V
- 阈值电压(Vth): 0.5~1.5V
- 在VGS=2.5V时的导通电阻(RDS(on)): 141 mΩ
- 在VGS=4.5V时的导通电阻(RDS(on)): 107 mΩ
- 在VGS=10V时的导通电阻(RDS(on)): 91 mΩ
- 最大漏极电流(ID): 2A
- 技术: Trench
封装: SC75-3

领域和模块应用:

这款MOSFET适用于许多领域和模块,以下是一些例子:

1. 低功耗电子模块:由于具有较低的漏极电流和适中的导通电阻,可用于便携式电子设备、智能手机和平板电脑等低功耗电子产品中,以实现节能和延长电池寿命。

2. 环保节能模块:适用于节能灯具、照明系统和太阳能光伏逆变器等环保节能产品中,可实现高效的电能转换和能源利用,降低能源消耗和碳排放。

3. 控制模块:适用于各种控制模块,如开关控制器、电源管理模块和电机驱动器等,可实现精确的控制和稳定的工作性能。

4. 信号放大模块:在信号放大和处理电路中,该MOSFET可以用于信号放大器、滤波器和传感器接口电路等,提供高品质的信号放大和传输。

5. 电源逆变模块:适用于逆变电源和DC-AC逆变器等电源逆变模块中,实现电能的高效转换和稳定输出,广泛应用于家用电器、工业设备和汽车电子等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询