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VBQG8658 产品详细

产品简介:

VBQG8658是VBsemi品牌推出的一款单P通道沟道场效应管(MOSFET),作为一款性能稳定、封装紧凑的单P通道MOSFET,适用于移动设备、消费电子、工业控制和通信设备等多个领域和模块,可实现功率开关控制、信号放大和电源管理等功能。

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产品参数:

具有以下参数和特性:

- **VDS(V):** 最大漏极-源极电压为-60V,适用于低至中等电压的应用场景。
- **VGS(±V):** 门源极电压范围为±20V,提供较大的控制范围。
- **Vth(V):** 阈值电压为-1.7V,表示在此电压下开始导通。
- **VGS=4.5V(mΩ):** 在门源极电压为4.5V时的漏极-源极电阻为70mΩ。
- **VGS=10V(mΩ):** 在门源极电压为10V时的漏极-源极电阻为58mΩ。
- **ID (A):** 最大漏极电流为-6.5A,适用于较小电流的应用。
- **Technology:** 采用Trench工艺制造,具有良好的性能和稳定性。
- **封装:** 采用DFN6(2X2)封装,适用于小型和紧凑的电路设计。

领域和模块应用:

该产品适用于多种领域和模块,例如:

在移动设备模块中,VBQG8658可用于充电管理模块和电池保护电路,用于电池充放电控制和电源管理,例如在智能手机、平板电脑和便携式电子设备中。

在消费电子模块中,VBQG8658可用于LED驱动器和功率开关控制,用于照明和电源开关控制,例如在LED灯具、电视机和电子游戏机中。

在工业控制模块中,VBQG8658可用于传感器接口和驱动器电路,用于信号放大和精确控制,例如在工业自动化设备、仪器仪表和机器人控制器中。

在通信设备模块中,VBQG8658可用于通信基站的功率放大器和电源管理单元,用于信号放大和稳定的电源供应,例如在无线基站、通信网络设备和卫星通信系统中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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