VBQG8238是一款单P型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于手机、移动设备、消费电子产品、工业自动化和LED照明等领域，能够提供稳定的功率输出和高效的能量转换。
具有以下参数和特性：

- VDS(V)：负20伏特，指最大漏极-源极电压。
- VGS(±V)：正负20伏特，指最大门源电压范围。
- Vth(V)：负0.8伏特，指阈值电压。
- RDS(on) VGS=2.5V(mΩ)：40毫欧姆，指在门源电压为2.5伏特时的导通电阻。
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ)：30毫欧姆，指在门源电压为4.5伏特时的导通电阻。
- RDS(on) VGS=10V(mΩ)：29毫欧姆，指在门源电压为10伏特时的导通电阻。
- ID (A)：负10安培，指最大漏极电流。
- Technology：采用Trench技术，提高了器件的性能和稳定性。
- 封装：DFN6(2X2)，小型封装，便于集成和布局。