产品简介：
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VBsemi的VBQG5325型号是一款双N+P沟道场效应晶体管（Dual N+P），具有以下主要参数：
- 额定漏极-源极电压（VDS）：±30V
- 额定栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.6V（N沟道） / -1.7V（P沟道）
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻（mΩ）：24（N沟道） / 40（P沟道）
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻（mΩ）：18（N沟道） / 32（P沟道）
- 最大漏极电流（ID）：±7A
- 技术：Trench
- 封装：DFN6(2X2)-B
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产品参数：
详细参数说明：
- 产品型号：VBQG5325
- 品牌：VBsemi
- 类型：双N+P沟道场效应晶体管
- 额定电压：VDS=±30V，VGS=±20V
- 阈值电压：Vth=1.6V（N沟道） / -1.7V（P沟道）
- 漏极-源极导通电阻（VGS=4.5V时）：24mΩ（N沟道） / 40mΩ（P沟道）
- 漏极-源极导通电阻（VGS=10V时）：18mΩ（N沟道） / 32mΩ（P沟道）
- 最大漏极电流：±7A
- 技术：Trench
- 封装：DFN6(2X2)-B
领域和模块应用：
适用领域和模块举例：
- 电源管理模块：可用于低电压电源管理和功率开关控制，适用于移动设备和消费电子产品。
- 汽车电子模块：适用于汽车电子系统中的驱动器和控制器模块，如发动机控制单元和电动汽车的电力系统。
- 工业自动化模块：可用于工业自动化设备和控制系统中的功率开关和驱动模块，如PLC控制器和工厂自动化设备。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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