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VBQG5325 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBQG5325型号是一款双N+P沟道场效应晶体管(Dual N+P),具有以下主要参数:
- 额定漏极-源极电压(VDS):±30V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.6V(N沟道) / -1.7V(P沟道)
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):24(N沟道) / 40(P沟道)
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):18(N沟道) / 32(P沟道)
- 最大漏极电流(ID):±7A
- 技术:Trench
- 封装:DFN6(2X2)-B

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBQG5325
- 品牌:VBsemi
- 类型:双N+P沟道场效应晶体管
- 额定电压:VDS=±30V,VGS=±20V
- 阈值电压:Vth=1.6V(N沟道) / -1.7V(P沟道)
- 漏极-源极导通电阻(VGS=4.5V时):24mΩ(N沟道) / 40mΩ(P沟道)
- 漏极-源极导通电阻(VGS=10V时):18mΩ(N沟道) / 32mΩ(P沟道)
- 最大漏极电流:±7A
- 技术:Trench
- 封装:DFN6(2X2)-B

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
- 电源管理模块:可用于低电压电源管理和功率开关控制,适用于移动设备和消费电子产品。
- 汽车电子模块:适用于汽车电子系统中的驱动器和控制器模块,如发动机控制单元和电动汽车的电力系统。
- 工业自动化模块:可用于工业自动化设备和控制系统中的功率开关和驱动模块,如PLC控制器和工厂自动化设备。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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