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VBQG4338 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBQG4338是一款双P型MOSFET,适用于各种电源和功率控制应用。包括但不限于便携式电子设备、电源管理、汽车电子系统和LED照明等领域的模块设计。

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产品参数:

**VBsemi VBQG4338双P型MOSFET**

- **参数:**
- 最大漏极-源极电压(VDS):-30V
- 标准门源电压(VGS):±12V
- 阈值电压(Vth):-1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):60
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):38
- 最大漏极电流(ID):-5.4A
- 技术:沟道(Trench)
- **封装:**
- DFN6(2X2)-B

领域和模块应用:




VBQG4338适用于多种电源和功率控制应用,具有以下特点:

1. **便携式电子设备:** 由于其小型封装和低功耗特性,VBQG4338非常适合用于便携式电子设备中的功率控制模块,如智能手机、平板电脑和便携式音频设备等。例如,在智能手机中用作充电管理和电池保护模块。

2. **电源管理和DC-DC转换器:** VBQG4338可用作开关电源和DC-DC转换器中的功率开关,实现高效的电源管理和功率转换。例如,在工业自动化设备和通信基站中用于电源管理模块。

3. **汽车电子系统:** 在汽车电子系统中,VBQG4338可以应用于发动机控制模块、车身控制模块和车载娱乐系统等功率控制模块。其高性能和可靠性使其成为汽车电子系统的理想选择。

4. **LED照明和照明控制:** VBQG4338可用作LED驱动器和照明控制模块的功率开关,帮助实现高效的LED照明系统和照明产品。例如,在室内和户外照明中用于LED灯具的驱动模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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