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VBQG3322 产品详细

产品简介:

VBQG3322是一款双N+N型MOSFET,具有以下特性:
- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。
- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。
- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。
- 在VGS=4.5V时,导通电阻为26mΩ;在VGS=10V时,导通电阻为22mΩ,具有低导通电阻和低开关损耗。
- 最大漏极电流(ID)为5.8A,能够承受一定的电流负载。
- 采用Trench技术,具有优异的热特性和可靠性。
- 封装为DFN6(2X2)-B,体积小巧,适用于紧凑的PCB布局和焊接。

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产品参数:

产品型号:VBQG3322

品牌:VBsemi

参数:
- 双N+N型MOSFET
- VDS(V): 30
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ): 26
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ): 22
- 最大漏极电流ID (A): 5.8
- 技术:Trench
- 封装:DFN6(2X2)-B

领域和模块应用:

应用简介:
1. **便携式电子设备**:VBQG3322可用于手机、平板电脑等便携式电子设备中的电源管理模块,如充电管理、电池保护等,实现高效、稳定的电源输出。

2. **LED驱动器**:作为LED驱动器的关键器件,VBQG3322能够提供可靠的开关控制和电路保护,适用于LED灯带、车灯等照明产品的驱动模块。

3. **汽车电子模块**:在汽车电子系统中,VBQG3322可用于车载电源管理模块、车身电子控制模块等,提供高效、可靠的功率转换和控制功能。

4. **家用电器**:适用于各类家用电器产品,如电视机、空调等,用于电源管理、电机控制等模块,提供高效的电能转换和控制。

5. **工业控制**:在工业自动化控制系统中,VBQG3322可用于各类电路开关控制模块,如温度控制、电流控制等,实现精准的控制和保护功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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