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VBQF5325 产品详细

产品简介:

一、产品简介:
VBsemi 的 VBQF5325 是一款双 N+P 型 MOSFET,采用了 Trench 技术,具有高性能和可靠性。该产品漏极-源极电压(VDS)为 ±30V,适用于各种电源管理和功率控制应用场景。封装为 DFN8(3X3)-B,易于安装和使用。

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产品参数:

二、详细参数说明:
- 产品型号:VBQF5325
- 品牌:VBsemi
- 类型:双 N+P 型 MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):±30V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.6V/-1.7V
- 在 VGS=4.5V 时的漏极-源极电阻(mΩ):17/45
- 在 VGS=10V 时的漏极-源极电阻(mΩ):13/40
- 最大漏极电流(ID):8A/-6A
- 技术:Trench
- 封装:DFN8(3X3)-B

领域和模块应用:




三、应用举例:
该产品适用于多种领域和模块,例如:
1. 电源管理:可用于开关电源、稳压器等电源管理模块,提供可靠的功率控制和调节功能。
2. 电动车辆:适用于电动车辆中的电池管理系统、驱动控制等模块,提高车辆的性能和驾驶体验。
3. 工业控制:可用于工业自动化系统中的电源控制、电机控制等模块,提高生产效率和稳定性。
4. LED 照明:适用于 LED 照明控制电路中的功率开关部件,实现灯光的调节和控制,提高能源利用率。

以上是该产品在不同领域和模块中的一些应用举例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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